Flipchip

倒装封装 ，也叫倒晶封装或者覆晶封装（Flipchip）是一种先进的封装技术，是相对于引线键合(Wire Bonding)来说的，之所以叫做倒装，是因为flip chip是芯片正面朝下向基板放置。通过芯片上的凸点直接将元器件朝下互连到基板、载体或者电路板上。引线键合的连接方式是将芯片的正面朝上，通过引线(通常是金线)将芯片与线路板连接。

倒装芯片分为两步：

第一步是做凸点（bump）,凸点的类型有很多，最常见的有纯锡球，铜柱+锡球，金凸点等类型。

第二步是将芯片安放到封装基板上。

具体工艺步骤：

1、Wafer Incoming and Clean（晶圆准备与清洗）在开始工艺之前，晶圆表面可能会有无有机物、颗粒、氧化层等污染物，需要进行清洗，用湿法或干法清洗的方式均可。

2、PI-1 Litho（第一层光刻：聚酰亚胺涂层光刻）聚酰亚胺（PI）一种绝缘材料，起到绝缘，支撑的作用。先涂覆在晶圆表面，再进行曝光，显影，最后做出bump的开口位置。

3、Ti/Cu Sputtering(UBM)UBM（Under Bump Metallization），凸点下金属层，主要是导电作用，为后面的电镀做准备。一般是用磁控溅射的方法做出UBM，以Ti/Cu的种子层最为常见。

4、PR-1 Litho（第二层光刻：光刻胶光刻）光刻胶的光刻将决定凸点的形状和尺寸，这一步是打开待电镀的区域。

5、Sn-Ag Plating（锡-银电镀）使用电镀工艺在开口位置沉积锡银合金（Sn-Ag），形成凸点。此时的凸点未经回流并不是球形的。

6、UBM Etching（UBM蚀刻）去除除凸点区域以外的 UBM 金属层（Ti/Cu），只保留在凸点下方的金属。

7、Reflow（回流焊）过回流焊，使锡银合金层熔化并重新流动，形成光滑的焊球形状。

8、芯片安放，回流焊完成后，bump形成，之后进行芯片的安放，如上图步骤。至此，倒装工片工艺结束。